Traduction de «microplaquette » (Français → Anglais) :

ex 8541 | Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, à l’exclusion des disques (wafers) non encore découpés en microplaquettes | Fabrication: à partir de matières de toute position, à l’exclusion des matières de la même position que le produit, etdans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 40 % du prix départ usine du produit | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 25 % du prix départ usine du produit |

Au sein de Télémédia, je supervisais les activités de 14 entreprises différentes dans les domaines de la radio, de l'édition, de la publicité intérieure, de l'immobilier, des microplaquettes semi-conductrices et des services sans fil.

microplaquettes DRAM relevant du code NC ex 8542 21 05 (code TARIC 8542210510),

microplaquettes et/ou DRAM à l'état monté incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires pour autant que ces derniers soient originaires de pays autres que la République de Corée, relevant des codes NC ex 8473 30 10 (code TARIC 8473301010), ex 8473 50 10 (code TARIC 8473501010) et ex 8548 90 10 (code TARIC 8548901010).

Au cas où des microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté incorporés dans des DRAM sous formes multicombinatoires ne seraient pas clairement marqués et si leurs fabricants n'étaient pas clairement identifiables au moyen de la déclaration demandée au paragraphe 4, ces microplaquettes DRAM et/ou DRAM à l'état monté sont considérées, à défaut de preuve du contraire, comme originaires de la République de Corée et comme ayant été fabriquées par des sociétés soumises au droit compensateur.

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de l ...[+++]a République de Corée.