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Bombardement cathodique
Métallisation par pulvérisation cathodique
Métallisation sous vide
Pulvérisation
Pulvérisation cathodique
Pulvérisation cathodique réactive
Pulvérisation de la cathode
Pulvérisation par bombardement ionique
Pulvérisation réactive
évaporation cathodique

Traduction de «métallisation par pulvérisation cathodique » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
métallisation par pulvérisation cathodique | métallisation sous vide

vacuum coating


pulvérisation cathodique | pulvérisation de la cathode

cathode sputtering


pulvérisation cathodique | pulvérisation par bombardement ionique

sputtering


pulvérisation cathodique | bombardement cathodique

cathode sputtering | sputtering | cathodic sputtering | sputter coating


pulvérisation cathodique réactive [ pulvérisation réactive ]

reactive sputtering [ reactive cathode sputtering ]


pulvérisation cathodique

cathode sputtering [ sputtering ]


cellule photovoltaïque au silicium amorphe obtenue par pulvérisation cathodique réactive

reactivity evaporated amorphous silicon photovoltaic cell


pulvérisation de la cathode | évaporation cathodique | pulvérisation

cathode sputtering | cathodic sputtering | sputtering
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran jusqu’au 1er juillet 2010.

Mercury used as a cathode sputtering inhibitor in DC plasma displays with a content up to 30 mg per display until 1 July 2010.


Bien qu’à l’heure actuelle le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran ne puisse pas être techniquement remplacé, cela devrait être possible à partir du 1er juillet 2010.

Substitution for mercury used as a cathode sputtering inhibitor in DC plasma displays with content of up to 30 mg per display is currently technically impracticable, but should be practicable by 1 July 2010.


Le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran jusqu’au 1er juillet 2010.

Mercury used as a cathode sputtering inhibitor in DC plasma displays with a content up to 30 mg per display until 1 July 2010.


Bien qu’à l’heure actuelle le mercure utilisé comme inhibiteur à pulvérisation cathodique dans les écrans plasma DC contenant un maximum de 30 mg par écran ne puisse pas être techniquement remplacé, cela devrait être possible à partir du 1er juillet 2010.

Substitution for mercury used as a cathode sputtering inhibitor in DC plasma displays with content of up to 30 mg per display is currently technically impracticable, but should be practicable by 1 July 2010.


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Le tableau se réfère uniquement au dépôt par triode, par magnétron ou par pulvérisation cathodique, qui est utilisé pour augmenter l'adhérence du revêtement et la vitesse de dépôt, et au dépôt par pulvérisation cathodique amélioré par radiofréquence, utilisé pour permettre la vaporisation de matériaux de revêtement non métalliques.

The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.


Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l'implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d'usinage.

2B005 does not control chemical vapour deposition, cathodic arc, sputter deposition, ion plating or ion implantation equipment specially designed for cutting or machining tools.


e. equipements de production à "commande par programme enregistré" pour le dépot par pulvérisation cathodique pouvant avoir des densités de courant égales ou supérieures 0,1 mA/mm2 à une vitesse de dépot égale ou supérieure à 15 µm/heure;

e". Stored programme controlled" sputter deposition production equipment capable of current densities of 0,1 mA/mm2 or higher at a deposition rate of 15 µm/h or more;


Il concerne une technologie sophistiquee de pulverisation cathodique sous vide d'un metal et d'un oxyde de metal qui sont appliques alternativement sur les plaques de verre plat de facon a constituer des couches thermo-isolantes; ces vitrages a couches sont utilises principalement pour la construction immobiliere.

The sophisticated technology involves cathode sputtering under vacuum of alternate layers of a metal and a metal oxide on to the glass.




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métallisation par pulvérisation cathodique ->

Date index: 2022-05-12
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