[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) [HTML] [2017-12-31]

For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits of heading 85.42 and microassemblies of heading 85.43 or 85.48.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

Pour l’application de la présente note, « éléments actifs » s’entend des diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits de la position 85.42 et des micro-assemblages électroniques des positions 85.43 ou 85.48.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) [HTML] [2014-09-26]

For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits and microassemblies of heading 85.42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

Aux fins de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) [HTML] [2014-09-26]

For purposes of this note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading No. 85. 41, and integrated circuits and microassemblies of heading No. 85. 42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-25]

Pour l’application de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41, et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-25]

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) [HTML] [2014-09-25]

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[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-12-31]

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1999-12-31]

(b) hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1998-12-31]

b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1998-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1998-12-31]

(a) monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are inseparably associated;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1998-12-31]

a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1998-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1998-12-31]

(B) "Electronic integrated circuits and microassemblies" are: (a) Monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are inseparably associated ;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

B) «Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques»: a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable ;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML]

Particular emphasis is being put on strentghening European capabilities in certain areas such as: - Application-Specific Integrated Circuits (for use in consumer electronics) - Bipolar (very high speed) Integrated Circuits - Non-volatile computer memories - High-performance Parallel Processing Computers - New Office Workstations which can handle voice, data, handwriting and graphics.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

Un effort particulier est apporté au renforcement des capacités européennes dans plusieurs domaines tels que : - les circuits intégrés à applications spécifiques (notammentdans le domaine de l'électronique grand public) - les circuits intégrés bi-polaires à très haute vitesse - les cellules de mémoire rémanente - les ordinateurs parallèles à haute performance - les nouveaux postes de travail capables d'utiliser la voix, les données, l'écriture et les graphiques.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML]

(b) Hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML]

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'MOS-bipolar transistor integrated circuit' ->

Date index: 2023-11-02