tension de grille de TEC métal-semiconducteur | tension de grille de transistor à effet de champ métal-semiconducteur | tension de grille de transistor MESFET

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

metal-oxide semiconductor [ MOS | metal oxide semiconductor | metal-oxide-semiconductor ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

métal-oxyde-semiconducteur

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

metal-insulator-semiconductor | MIS

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

MIS

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

complementary metal oxide semiconductor circuit | C. Mos circuit

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

circuit à transistors Mos complémentaires | circuit « C. Mos »

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

fumes and vapours of metals metals from all sources, except medicinal substances

https://icd.who.int/browse10/2 (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

fumées et vapeurs de métaux métaux de toutes origines, sauf substances médicamenteuses

https://icd.who.int/browse10/2 (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

https://icd.who.int/browse10/2 (...) [HTML] [2018-01-01]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

The aim of the programme is to develop new technologies for the design and production of the next generation of integrated circuits and to strengthen the structure of the European micro- and nanoelectronics industry by positioning the Crolles-Grenoble cluster as a global leader in the field of advanced CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) technology.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2014-06-24]

Ce programme vise à développer de nouvelles technologies pour la conception et la production des prochaines générations de circuits intégrés, ainsi qu’à renforcer la structuration de la filière européenne en micro-nanoélectronique, en positionnant le cluster de Crolles - Grenoble comme un leader au niveau mondial dans le domaine des technologies CMOS ("Complementary metal-oxide-semiconductor") digitales avancées.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2014-06-24]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2014-06-24]

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS) sensor,

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semiconducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire,

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2013-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2013-12-31]

[12] Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) is the standard technology for integrated circuits in the "more Moore" track

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

[12] La technologie métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS) est la technologie standard pour les circuits intégrés de la piste «more Moore».

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2012-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

For more results, go to https://pro.wordscope.com to translate your documents with Wordscope Pro!

3A001.a.1.c. does not apply to Metal Insulator Semiconductors (MIS).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

L'alinéa 3A001.a.1.c. n'est pas applicable aux métal-isolant-semiconducteurs (MIS).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

2. Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3C003 or 3C004;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

2. réacteurs de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique organométallique (MOCVD) spécialement conçus pour la croissance cristalline de semi-conducteurs composés par réaction chimique entre des matériaux visés aux paragraphes 3C003 ou 3C004;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

The main objective of the Action is to increase knowledge about the action of the electromagnetic fields to control, process and manipulate liquid and solid metals, semiconductors, electrolytes, ferrofluids, and plasmas with the aim of producing new or improve the quality of existing materials.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

Cette action a pour principal objectif de développer les connaissances sur l'action des champs électromagnétiques aux fins du contrôle du traitement et de la manipulation des métaux liquides et solides, des semi-conducteurs, des électrolytes, des ferro-fluides et des plasmas pour produire des matériaux nouveaux ou améliorer la qualité des matériaux existants.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML]

Others have searched : c mos circuit mesfet mesfet gate voltage mims structure complementary metal oxide semiconductor circuit metal oxide semiconductor metal semiconductor barrier metal semiconductor field-effect transistor metal-oxide semiconductor metal-semiconductor fet metal-semiconductor fiel-effect transistor gate voltage Metal-semiconductor-metal

datacenter (1): www.wordscope.ca (v4.0.br)

'Metal-semiconductor-metal' ->

Date index: 2023-11-26