- to sell its RF power business, comprising all key assets and personnel, except assets necessary for the so-called “front-end” manufacturing of these products, that is imprinting substrate silicon wafers with the precise circuitry required for semiconductors to function;

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

- de vendre son activité «puissance radiofréquences», qui comprend tous les actifs importants et le personnel, à l'exception des actifs nécessaires à la fabrication en amont de ces produits, à savoir les opérations d'estampage du substrat des plaquettes de silicium avec la circuiterie précise permettant aux semi-conducteurs de fonctionner;

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2015-09-16]

Two technologies currently make it possible to scale down beyond 28 nm: (1) FinFET technology, created by the DARPA laboratories in the United States and first produced industrially by Intel, then later by TSMC; and (2) FDSOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) technology. The ISDA alliance with IBM and the Nano2012 project have demonstrated FDSOI’s performance and its potential to replace CMOS transistors on massive substrates for 28 nm technology (see IP/09/150); developing it beyond 28 nm is the core focus of the Nano2017 programme.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2014-06-24]

Deux technologies permettent actuellement d’aller au-delà du 28nm : la technologie FinFET, issue des laboratoires de la DARPA aux Etats-Unis, industrialisée pour la première fois par Intel, puis par TSMC d’une part ; et la technologie FDSOI ("Fully Depleted Silicon On Insulator"), dont les performances et la potentialité à remplacer les transistors CMOS sur substrats massifs pour le nœud technologique 28nm ont été démontrées dans le cadre de l’alliance ISDA avec IBM et du projet Nano2012 (voir IP/09/150), et dont le développement au-delà du 28nm est au cœur du programme Nano2017 d’autre part.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2014-06-24]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2014-06-24]

While silicon carbide, the material used for a DPF substrate (which is also the material of IBIDEN HU’s substrate), must be prepared at very high temperature (above 2 000 °C) in the oxygen free atmosphere.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2007-12-31]

En revanche, le matériau utilisé pour les substrats de DPF, le carbure de silicium (il sert aussi au substrat d’IBIDEN HU) doit être fabriqué à une température extrêmement élevée (plus de 2 000 °C) et sous une atmosphère sans oxygène.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2007-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2007-12-31]

The material used for the DOC substrate must resist an internal temperature of approximately 400 °C present inside the DOC. The reference material used for the substrates for DPF is silicon carbide.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2007-12-31]

Le matériau utilisé pour la fabrication du substrat du DOC doit résister à une température de près de 400 °C qui règnent à l’intérieur du DOC. Le matériau de référence utilisé pour la fabrication des substrats destinés aux DPF est le carbure de silicium.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2007-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2007-12-31]

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The project led by Prof. Richard Friend of the University of Cambridge (UK) in association with further researchers from Belgium, Germany, The Netherlands, Sweden, and the UK, aimed at developing the technology to replace deposited glass- or silicon-backed displays with flexible plastic substrates, allowing for cheaper processing.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-11-19]

Ce projet, coordonné par M. Richard Friend, professeur à l'Université de Cambridge (Royaume-Uni) en association avec d'autres chercheurs originaires de Belgique, d'Allemagne, des Pays-Bas, de Suède et du Royaume-Uni avait pour objectif de développer la technologie permettant de remplacer les substrats à base de verre ou de silicium par des substrats en plastique souple, de façon à réduire les coûts de fabrication.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-11-19]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2003-11-19]

3C001 Hetero-epitaxial materials consisting of a "substrate" having stacked epitaxially grown multiple layers of any of the following:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

3C001 Matériaux hétéro-épitaxiés consistant en un "substrat" comportant des couches multiples empilées obtenues par croissance épitaxiale:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

e. Substrates of silicon-on-insulator (SOI) for integrated circuits in which the insulator is silicon dioxide;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

e. substrats de silicium sur isolant (SOI) pour circuits intégrés dont l'isolant est le dioxyde de silicium;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

2. Equipment for the chemical vapour deposition of elements or compounds on heated filamentary substrates to manufacture silicon carbide fibres;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

2. équipements pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique d'éléments ou de composés sur des substrats filamenteux chauffés pour la fabrication de fibres de carbure de silicium;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

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