Translation of "erasable programmable read only memory " (English → French) :

2". microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes prog ...[+++]rammables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

Microcircuits microprocesseurs", "microcircuits micro-ordinateurs", microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et "circuits intégrés optiques" pour le "traitement du signal", dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes prog ...[+++]rammables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit:

Les constructeurs qui utilisent des ordinateurs à codes informatiques programmables, (par exemple du type EEPROM (mémoire morte programmable effaçable électriquement) doivent empêcher toute reprogrammation illicite.

Pour des raisons de facilité de lecture, le programme attribue seulement à la Commission le droit d'initiative, ce qui est sans préjudice de la possibilité pour les États membres de prendre des initiatives conformément à l'article 76 du TFUE.

Les constructeurs qui utilisent des ordinateurs à codes informatiques programmables, [par exemple du type EEPROM (mémoire morte programmable effaçable électriquement)] doivent empêcher toute reprogrammation illicite.

Si la méthode d'essai prévue par la norme 50242:1998 est utilisée, les modifications suivantes doivent y être apportées: les essais sont effectués à 55 °C ± 2 °C, avec un prélavage à froid sans détergent; la machine utilisée pour les essais doit être raccordée à l'eau froide et doit contenir 12 couverts avec un indice de performance de lavage compris entre 3,35 et 3,75; le programme de séchage de la machine est utilisé, mais seule la propreté de la vaisselle est évaluée; un agent de rinçage faiblement acide, conforme à la norme (formule III), est utilisé; le doseur de l'agent de rinçage doit être réglé entre 2 et 3; la dose de déter ...[+++]gent pour lave-vaisselle est celle recommandée par le fabricant; trois essais sont effectués avec une eau d'une dureté conforme à la norme; un essai se compose de cinq cycles de lavage; le résultat est constaté après le cinquième cycle de lavage sans que la vaisselle soit essuyée entre les cycles; le résultat doit être meilleur ou identique à celui du détergent de référence après le cinquième cycle de lavage; les formules du détergent de référence (détergent B IEC 436) et de l'agent de rinçage (formule III) figurent à l'appendice B de la norme EN 50242:1998 (les agents tensioactifs doivent être stockés dans un endroit frais, dans des conteneurs étanches de 1 kg au maximum, et doivent être utilisés dans les trois mois).