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Translation of "sos transistor " (English → French) :

TERMINOLOGY
see also In-Context Translations below

silicon on sapphire | SOS | silicon on sapphire transistor | SOS transistor

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

silicium sur saphir | SOS | transistor SOS

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

MOS parasitic transistor | parasitic FET | parasitic field-effect-transistor | parasitic metal-oxide-semiconductor transistor | parasitic MOS transistor

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

transistor MOS parasite

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

field effect transistor of MOS technology | metal oxide semiconductor field-effect transistor | Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | MOSFET [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

transistor à effet de champ, réalisé en technologie MOS

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

junction field-effect transistor | Junction Gate Field Effect Transistor | junction-gate field-effect transistor | JFET [Abbr.] | JUGFET [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

TEC à jonction | transistor à effet de champ à jonction | transistor à effet de champ à jonction de grille | transistor à jonction à effet de champ

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

http://eurovoc.europa.eu/drupa (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://eurovoc.europa.eu/drupa (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://eurovoc.europa.eu/drupa (...) [HTML] [2017-12-31]

rate-grown junction transistor [ RGJT | rate-grown transistor | graded-junction transistor | rategrown transistor ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

transistor à jonction agrandie [ transistor à taux d'accroissement | transistor à taux d'augmentation ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

single-molecule transistor | one-molecule transistor | monomolecular transistor | unimolecular transistor

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

transistor à molécule unique | transistor monomoléculaire | transistor unimoléculaire

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

SOS Children's Villages Canada [ SOS - Canada | Friends of SOS Children's Villages, Canada Inc. ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

SOS Children's Villages Canada [ SOS - Canada | Friends of SOS Children's Villages, Canada Inc. ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

PMOS transistor [ p-channel transistor | P-channel MOS | p-channel MOS transistor ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

transistor à canal P [ MOS à canal P ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

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https://eur-lex.europa.eu/lega (...) [HTML] [2017-12-31]

Semiconductor materials, most typically silicon, are used in semiconductor devices like microchips and their components (for example diodes and transistors).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-11-22]

Les matériaux semi-conducteurs, dont l'exemple le plus connu est le silicium, sont utilisés dans des dispositifs à semi-conducteur, tels que les puces et leurs composants ( diodes et transistors, par exemple).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-11-22]

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RF power transistors make RF signals more powerful and are predominantly used in base stations for mobile telecommunications (3G, 4G, LTE), as well as in radio and television broadcasting, microwave ovens, mobile radios and air traffic control equipment.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

Les transistors de puissance, qui amplifient la puissance des signaux RF, sont principalement utilisés dans les stations de base pour télécommunications mobiles (3G, 4G, LTE), ainsi que dans le matériel de radiotélédiffusion, les fours à micro-ondes, la radio-téléphonie mobile et les équipements de contrôle du trafic aérien.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2015-09-16]

The Commission found that NXP and Freescale are the two largest players and close competitors in the RF power transistors market, in particular those used in base stations for mobile telecommunications.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

La Commission a constaté que NXP et Freescale étaient des concurrents proches et les deux principaux acteurs du marché des transistors de puissance RF, en particulier ceux utilisés dans les stations de base pour les télécommunications mobiles.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2015-09-16]

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Semiconductors are used in various electronic components (such as diodes and transistors) that control the conduction of electricity.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

Les semi-conducteurs sont utilisés dans divers composants électroniques (comme les diodes et les transistors) qui contrôlent la conduction de l’électricité.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2015-09-16]

Diodes, transistors and similar semiconductor devices; photosensitive semiconductor devices, incl. photovoltaic cells whether or not assembled in modules or made up into panels (excl. photovoltaic generators); light emitting diodes, mounted piezoelectric crystals; parts thereof

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2014-06-22]

Diodes, transistors et dispositifs similaires à semi-conducteur; dispositifs photosensibles à semi-conducteur, y compris les cellules photovoltaïques même assemblées en modules ou constituées en panneaux (sauf génératrices photovoltaïques); diodes émettrices de lumière; cristaux piézo-électriques montés, et leurs parties

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2014-06-22]

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) [HTML] [2014-06-22]

The Commission also endorsed Slovak investment aid of € 34.9 million in favour of AU Optronics for setting up a new production plant for the manufacture of thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) modules and TV sets.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2011-07-12]

La Commission a également approuvé une aide à l’investissement slovaque de 34,9 millions d'euros en faveur de AU Optronics pour la mise en place d’une nouvelle usine de production de modules TFT-LCD et de téléviseurs.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2011-07-12]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2011-07-12]

b. Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

b. dispositifs semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-12-31]

[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1999-12-31]

Whereas provision must be made to ensure uniform application of the nomenclature of the Common Customs Tariff with a view to the classification of silicon (polycrystalline or monocrystalline) of very high purity, doped by addition or by selective purification, used in the manufacture of diodes, transistors and other similar semi-conductor elements;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

considérant que des dispositions sont nécessaires pour assurer l'application uniforme de la nomenclature du tarif douanier commun en vue de la classification du silicium (polycristallin ou monocristallin), de très haute pureté, dopé par addition ou par épuration sélective, utilisé dans la fabrication de diodes, de transistors et d'autres éléments similaires à semi-conducteurs;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML]

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Date index: 2020-12-20