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Circuit LSI
Circuit MSI
Circuit de mémoire rapide à haute densité
Circuit intégré spécialisé
Circuit intégré spécifique
Circuit intégré à application spécifique
Circuit intégré à grande échelle
Circuit intégré à haut degré de complexité
Circuit intégré à haute densité
Circuit intégré à moyenne échelle
Circuit intégré à très haute intégration
Circuit spécialisé
Circuit spécifique
Circuit à densité d'intégration moyenne
Circuit à forte densité d'intégration
Circuits multicouches à haute densité
Disquette double face haute densité
Disquette à double face et à haute densité
Macrologique
VHSIC

Traduction de «Circuit intégré à haute densité » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
circuit intégré à haute densité

high density integrated circuit


circuits multicouches à haute densité

high density multilayer circuits


macrologique [ circuit intégré à grande échelle | circuit LSI | circuit à forte densité d'intégration ]

large-scale integrated circuit [ large scale integrated circuit | LSI circuit | chip circuit | multiple-function chip ]


circuit MSI [ circuit intégré à moyenne échelle | circuit à densité d'intégration moyenne ]

MSI circuit [ medium scale integrated circuit | medium-scale integrated circuit ]


circuit intégré à haut degré de complexité

high-complexity integrated circuit


disquette à double face et à haute densité | disquette double face haute densité

double-sided high-density diskette | DSHD diskette | double sided high density diskette


circuit intégré à application spécifique | circuit intégré spécifique | circuit spécifique | circuit intégré spécialisé | circuit spécialisé

application-specific integrated circuit | ASIC


circuit intégré à très haute intégration [ VHSIC ]

very high scale integrated circuit [ VHSIC ]


circuit intégré à application spécifique | circuit intégré spécifique | circuit spécifique

Application Specific Integrated circuit | ASIC


circuit de mémoire rapide à haute densité

high density memory circuit
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Plomb dans les soudures servant à unir des dissipateurs de chaleur au radiateur dans les assemblages de semi-conducteur de puissance avec un circuit intégré d’au moins 1 cm2 d’aire de projection et une densité de courant nominal d’au moins 1 A/mm2 de la superficie du circuit intégré

Lead in solder to attach heat spreaders to the heat sink in power semiconductor assemblies with a chip size of at least 1 cm2 of projection area and a nominal current density of at least 1 A/mm2 of silicon chip area


13. indique que la définition de la fourniture d'aide de base devra être adaptée à l'avenir en fonction des nouveaux besoins résultant de l'augmentation constante des débits de transmission des services internet innovants, tels que les services publics, de santé ou d'apprentissage en ligne; invite dès lors la Commission, au vu de la probable défaillance du marché à fournir aux zones rurales, insulaires et montagneuses, des réseaux d'accès de nouvelle génération (NGA), à intégrer de nouveaux types d'organismes responsables, prévoyant notamment la participation des autorités locales, comme des réseaux citoyens et des réseaux publics ou ét ...[+++]

calls, therefore, on the Commission, in view of the likely failure of the market to supply rural, insular and mountainous areas with NGA networks, to incorporate new organisational models, providing in particular for the involvement of local authorities, such as citizens’ networks and publicly run networks or those acquired using public funds, for the provision and financing of high-speed and ultra-high-speed networks as an option into the Community Guidelines for the application of State aid rules in relation to rapid deployment of broadband networks in order to make broadband functions accessible to all Europeans and ensure that urban ...[+++]


– Nanoélectronique, photonique et micro/nano-systèmes intégrés: technologies (de procédé, de dispositif et de conception) destinées à améliorer les caractéristiques de taille, densité, performance, efficacité énergétique, fabrication et coût-efficacité des composants, systèmes sur puce (SOC), systèmes en boîtier (SIP), et systèmes intégrés; composants photoniques de base pour une vaste gamme d'applications; systèmes de stockage de données à haute performan ...[+++]

– Nano-electronics, photonics and integrated micro/nano-systems: process, device and design technologies to improve size, density, performance, energy efficiency, manufacturing and cost-effectiveness for components, systems-on-a-chip, systems-in-a-package and integrated systems; basic photonic components for wide range of applications; high-performance/high-density data storage systems; very large area/highly integrated display solutions; sensing, actuating, vision and imaging devices; ultra low power systems, alternative energy sources/storage; heterogeneous technologies/systems integration; multi-functional integrated micro-nano ...[+++]


– Nanoélectronique, photonique et micro/nano-systèmes intégrés: technologies et méthodologie (de procédé, de dispositif, de conception et d'essai ) destinées à améliorer les caractéristiques de taille, densité, performance, efficacité énergétique, fabrication et coût-efficacité des composants, systèmes sur puce (SOC), systèmes en boîtier (SIP), et systèmes intégrés; composants avancés sans fil et sous-systèmes; composants photoniques de base pour générer, manipuler et détecter la lumière pour une vaste gamme d'applications; y compr ...[+++]

– Nano-electronics, photonics and integrated micro/nano-systems: process, device, design and testing technologies and methodologies to improve size, density, performance, energy efficiency, manufacturing and cost-effectiveness of components, systems-on-a-chip, systems-in-a-package and integrated systems; advanced wireless components and sub-systems; basic photonic components to generate, manipulate and detect light for a wide range of applications including ultra fast components ; RF systems; high-performance/high-density data storage systems; very large area and/or highly integrated flexible display solutions; sensing, actuating, ...[+++]


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– Nanoélectronique, photonique et micro/nano-systèmes intégrés: technologies et méthodologie (de procédé, de dispositif, de conception et d'essai) destinées à améliorer les caractéristiques de taille, densité, performance, efficacité énergétique, fabrication et coût-efficacité des composants, systèmes sur puce (SOC), systèmes en boîtier (SIP), et systèmes intégrés; composants avancés sans fil et sous-systèmes; composants photoniques de base pour générer, manipuler et détecter la lumière pour une vaste gamme d’applications; y compri ...[+++]

– Nano-electronics, photonics and integrated micro/nano-systems: process, device, design and testing technologies and methodologies to improve size, density, performance, energy efficiency, manufacturing and cost-effectiveness of components, systems-on-a-chip, systems-in-a-package and integrated systems; advanced wireless components and sub-systems; basic photonic components to generate, manipulate and detect light for wide range of applications including ultra fast components; RF systems; high-performance/high-density data storage systems; very large area and/or highly integrated flexible display solutions; sensing, actuating, vis ...[+++]


– Nanoélectronique, photonique et micro/nano-systèmes intégrés: technologies (de procédé, de dispositif et de conception) destinées à améliorer les caractéristiques de taille, densité, performance, efficacité énergétique, fabrication et coût-efficacité des composants, systèmes sur puce (SOC), systèmes en boîtier (SIP), et systèmes intégrés; composants photoniques de base pour une vaste gamme d’applications; systèmes de stockage de données à haute performan ...[+++]

– Nano-electronics, photonics and integrated micro/nano-systems: process, device and design technologies to improve size, density, performance, energy efficiency, manufacturing and cost-effectiveness for components, systems-on-a-chip, systems-in-a-package and integrated systems; basic photonic components for wide range of applications; high-performance/high-density data storage systems; very large area/highly integrated display solutions; sensing, actuating, vision and imaging devices; ultra low power systems, alternative energy sources/storage; heterogeneous technologies/systems integration; multi-functional integrated micro-nano ...[+++]


Tout haut-parleur, syntoniseur TV, etc. intégré doit être réglé en mode de consommation minimale, réglable par l'utilisateur, afin de réduire au maximum la consommation d'énergie qui n'est pas directement imputable à l'affichage en tant que tel. Il est interdit d'enlever un élément du circuit ou d'effectuer d'autres actions hors de portée de l'utilisateur pour minimiser la consommation d'énergie.

Any built-in speakers, TV tuners, etc. may be placed in their minimum power configuration, as adjustable by the user, to minimise power use not associated with the display itself. Circuit removal or other actions not under user control may not be taken to minimise power use.


Tout haut-parleur, syntoniseur TV, etc. intégré doit être réglé en mode de consommation minimale, réglable par l'utilisateur, afin de réduire au maximum la consommation d'énergie qui n'est pas directement imputable à l'affichage en tant que tel. Il est interdit d'enlever un élément du circuit ou d'effectuer d'autres actions hors de portée de l'utilisateur pour minimiser la consommation d'énergie.

Any built-in speakers, TV tuners, etc. may be placed in their minimum power configuration, as adjustable by the user, to minimise power use not associated with the display itself. Circuit removal or other actions not under user control may not be taken to minimise power use.


Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).


8 h) Plomb dans les soudures servant à unir des dissipateurs de chaleur au radiateur dans les assemblages de semi-conducteur de puissance avec un circuit intégré d’au moins 1 cm d’aire de projection et une densité de courant nominal d’au moins 1 A/mm de la superficie du circuit intégré

8(h) Lead in solder to attach heat spreaders to the heat sink in power semiconductor assemblies with a chip size of at least 1 cm of projection area and a nominal current density of at least 1 A/mm of silicon chip area


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