Translation of "Plan de mémoire à accès aléatoire " (French → English) :

TERMINOLOGY
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plan de mémoire à accès aléatoire

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

RAM memory plane

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

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http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

random access memory | RAM | random access storage | random access store | read/write memory

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

mémoire vive [ MEV | mémoire active | mémoire à accès direct | mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès sélectif ]

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mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès direct | mémoire à accès sélectif

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

direct access storage | direct access store | random access storage | random access store

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

unité de mémoire à accès aléatoire | unité de mémoire à accès direct | unité de mémoire à accès sélectif

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

random direct access storage units

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

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mémoire à accès aléatoire | mémoire à accès sélectif | mémoire vive | RAM [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

volatile memory

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

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dynamic RAM [ DRAM | DRAM memory | dynamic random-access memory | dynamic-RAM | D-RAM ]

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mémoire rapide | mémoire à accès rapide | mémoire à temps d'accès minimum

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fichier à accès direct | fichier direct | fichier à accès aléatoire | fichier à accès sélectif | fichier organisé par adresses

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

direct access file | direct file | random access file | random file

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

12. accueille avec satisfaction l'adoption de la stratégie et du plan d'action concernant la réforme du système judiciaire pour 2013-2018 autour des grands principes d'indépendance, d'impartialité, de compétence, de qualité de la justice et d'absence d'ingérence politique; invite instamment les autorités à accélérer cette réforme, conformément aux recommandations de la Commission de Venise, notamment en ce qui concerne le rôle du parlement dans la nomination des juges ainsi que l'action indépendante des procureurs, et eu égard au processus d'examen analytique du chapitre 23 qui a débuté le 25 septembre 2013; souligne qu'il importe de r ...[+++]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2014-01-14]

12. Welcomes the adoption of the Strategy and the Action Plan on the reform of the judiciary 2013-2018, built around the key principles of independence, impartiality, competence, quality of the judiciary and freedom from political interference; urges the authorities to intensify this reform in line with the recommendations of the Venice Commission, especially with regard to the role of the parliament in judicial appointments and the independence of the prosecution, and with a view to the screening process of Chapter 23, which commenced on 25 September 2013; stresses the importance of strengthening the independence of High Judicial and ...[+++]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2014-01-14]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) [HTML] [2014-01-14]

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) no 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provisoire sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (4) (ci-après dénommé «règlement provisoire»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

The definitive Regulation was preceded by Commission Regulation (EC) No 708/2003 of 23 April 2003 imposing a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea (4) (provisional Regulation).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

By Regulation (EC) No 1480/2003 (3) (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

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Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

Le 22 mai 2001, l'Allemagne a fait part, conformément à l'encadrement multisectoriel des aides à finalité régionale en faveur de grands projets d'investissement ("encadrement multisectoriel"), de son intention d'octroyer une aide à Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG en vue de la construction d'une installation de production de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2001-12-21]

On 22 May 2001 Germany notified its intention to grant aid under the multisectoral framework on regional aid for large investment projects (multisectoral framework) in favour of Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG in view of the construction of a new plant for the production of DRAMs.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2001-12-21]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2001-12-21]

30. s'inquiète des développements du système d'information Schengen (SIS) et des plans du Conseil prévoyant que le système SIS II devrait permettre l'ajout de nouveaux niveaux d'alerte (personnes et objets), de nouveaux secteurs, une interrelation entre les alertes, la modification de la durée de la mise en mémoire de ces alertes ainsi que l'enregistrement et le transfert de données biométriques, principalement des photographies et des empreintes digitales ainsi que l'accès ...[+++]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2004-03-08]

30. Expresses concern at the development of SIS and the Council plans under which SIS II should allow new categories of alerts (persons and objects) and new sectors to be added, alerts to be inter-linked, the period during which alerts may be stored to be changed, biometric data (especially photographs and fingerprints) to be registered and transferred, and access to be provided to new authorities, namely Europol, Eurojust and national judicial authorities, where necessary, for purposes other than those originally laid down, such as t ...[+++]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2004-03-08]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) [HTML] [2004-03-08]

La Commission européenne a autorisé la création d'une entreprise commune de plein exercice entre Hitachi, Ltd (Japon) et NEC Corporation (Japon), qui regroupera les activités des deux entreprises dans le secteur des mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-05-03]

The European Commission has authorised the creation of a full-function joint venture between Hitachi, Ltd (Japan) and NEC Corporation (Japan) combining the two companies' businesses in the field of DRAMs (Dynamic Random Access Memory).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-05-03]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2000-05-03]

Les produits couverts par l'accord sont des mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) et des mémoires flash mortes programmables électriquement (Flash EPROM).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [1998-10-14]

The products covered under the agreement are Dynamic Random Access Memories (DRAMs) and Flash Erasable Programmable Read-Only Memories (Flash EPROMs).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [1998-10-14]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [1998-10-14]

Les produits qui ont fait l'objet de l'enquête sont certains types de micro-circuits électroniques appelés mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM), qu'ils aient la forme de disques ou de micro-plaquettes usinés, qu'ils soient assemblés et testés, ou transformés en modules de différentes configurations; ils sont réalisés selon toutes les variantes de la technologie MOS et dans toutes les densités, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration et leur boîtier.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

The products investigated are certain types of microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) either in - processed wafer of die form, or - assembled and tested, or in - multicombinational forms such as DRAM-modules, of all MOS technologies and all densities irrespective of differences in configuration, package or access time.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

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Plan de mémoire à accès aléatoire ->

Date index: 2021-08-04