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Translation of "Semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal " (French → English) :

TERMINOLOGY
see also In-Context Translations below

MOS complémentaire [ CMOS | semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

complementary metal-oxide semiconductor [ CMOS | complementary metal oxide semiconductor | complementary MOS | complementary metal-oxide-silicon ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

CMOS | semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire | MOS complémentaire

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

CMOS | complementary metal-oxide semiconductor | complementary MOS

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

semi-conducteur métal-oxyde à double diffusion verticale

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

vertical double-diffused metal oxide semi-conductor [ VDMOS | vertical double-diffused MOS ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

transistor métal-oxyde semi-conducteur à effet de champ | MOSTEC

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

metal-oxide silicon field-effect transistor | MOSFET

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

transistor à effet de champ à barrière de Schottsky | transistor à effet de champ métal semi-conducteur | transistor MESFET | MESFET [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

metal semiconductor field-effect transistor | metal-semiconductor FET | MESFET [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

jonction métal semi-conducteur

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

metal-semiconductor junction

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

circuit à semiconducteur oxyde-métal à symétrie complémentaire

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

CMOS circuit

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

métal-oxyde-silicium complémentaire | CMOS [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

complementary metal oxide silicon | CMOS [Abbr.]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

IN-CONTEXT TRANSLATIONS

[12] La technologie métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS) est la technologie standard pour les circuits intégrés de la piste «more Moore».

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

[12] Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) is the standard technology for integrated circuits in the "more Moore" track

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2012-12-31]

La Commission a constaté que les gammes de semi-conducteurs proposées par les deux entreprises étaient en majeure partie complémentaires, à l'exception des transistors de puissance radiofréquences (RF).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

The Commission found that the two companies’ semiconductor product portfolios were mostly complementary, except for radio frequency (“RF”) power transistors.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2015-09-16]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2015-09-16]

équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2014-12-14]

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) sensor,

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2014-12-14]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2014-12-14]

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que s ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, pack ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

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2. demande des informations complémentaires quant au soutien accordé aux travailleurs par le projet de formation spécifique du FSE destiné aux travailleurs d'entreprises ayant des activités en rapport avec la fabrication de semi-conducteurs et quant à la valeur ajoutée des mesures du FEM à cet égard;

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2006-05-16]

2. Requests more information about the support provided to the workers by the specific ESF training project for workers in enterprises involved in the manufacturing of semiconductors and the added value of the EGF measures in this respect.

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2006-05-16]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) [HTML] [2006-05-16]

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

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Date index: 2023-12-08