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CMOS
Circuit CMOS
Circuit MOS complémentaire
Circuit intégré à transistors MOS
Circuit « C. Mos »
Circuit à transistors Mos complémentaires
MOS complémentaire
MOS complémentaire à isolement diélectrique
Microprocesseur à MOS complémentaires
Semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal
Semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire
Technologie MOS complémentaire
Technologie de type CMOS
Technologie de type MOS complémentaire

Traduction de «mos complémentaire » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
MOS complémentaire [ CMOS | semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal ]

complementary metal-oxide semiconductor [ CMOS | complementary metal oxide semiconductor | complementary MOS | complementary metal-oxide-silicon ]


MOS complémentaire à isolement diélectrique

dielectric isolation and complementary metal-oxide-silicon


circuit à transistors Mos complémentaires | circuit « C. Mos »

complementary metal oxide semiconductor circuit | C. Mos circuit


CMOS | semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire | MOS complémentaire

CMOS | complementary metal-oxide semiconductor | complementary MOS


circuit intégré à transistors MOS | MOS complémentaire | CMOS [Abbr.]

complementary metal-oxide semiconductor | CMOS [Abbr.]




microprocesseur à MOS complémentaires

complementary metal-oxide semiconductor microprocessor


circuit CMOS | circuit MOS complémentaire

CMOS circuit


technologie de type CMOS | technologie de type MOS complémentaire

CMOS technology | complementary MOS technology


enseignement, directives et counseling relatifs aux soins infirmiers ou aux soins de santé complémentaires

Nursing care/supplementary health teaching, guidance, and counseling
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de l ...[+++]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.


Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).


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