Deux technologies permettent actuellement d’aller au-delà du 28nm : la technologie FinFET, issue des laboratoires de la DARPA aux Etats-Unis, industrialisée pour la première fois par Intel, puis par TSMC d’une part ; et la technologie FDSOI ("Fully Depleted Silicon On Insulator"), dont les performances et la potentialité à remplacer les transistors CMOS sur substrats massifs pour le nœud technologique 28nm ont été démontrées dans le cadre de l’alliance ISDA avec IBM et du projet Nano2012 (voir IP/09/150), et dont le développement au-delà du 28nm est au cœur du programme Nano2017 d’autre part.
Two technologies currently make it possible to scale down beyond 28 nm: (1) FinFET technology, created by the DARPA laboratories in the United States and first produced industrially by Intel, then later by TSMC; and (2) FDSOI (Fully Depleted Silicon on Insulator) technology. The ISDA alliance with IBM and the Nano2012 project have demonstrated FDSOI’s performance and its potential to replace CMOS transistors on massive substrates for 28 nm technology (see IP/09/150); developing it beyond 28 nm is the core focus of the Nano2017 programme.
