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Technologie MOS complémentaire
Technologie de type CMOS
Technologie de type MOS
Technologie de type MOS complémentaire
Technologie de type MOS à canal N
Technologie de type NMOS

Traduction de «Technologie de type MOS complémentaire » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
technologie de type CMOS | technologie de type MOS complémentaire

CMOS technology | complementary MOS technology


technologie de type MOS à canal N | technologie de type NMOS

N-channel MOS technology | negative-channel MOS technology | NMOS technology




technologie de type MOS

metal oxide semiconductor technology | MOS technology
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS ...[+++]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., or ...[+++]


Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).


Les buts de cette Fondation sont différents mais complémentaires à ceux du Centre International pour la Science et la Technologie institué par un accord international entre la Communauté européenne, les Etats-Unis, le Japon et la Fédération de Russie(2). Ce Centre a en effet un important contenu stratégique et vise la reconversion des scientifiques du complexe militaro-industriel de l'ex-URSS. La structure de l'organisme et les types d'action à mener so ...[+++]

The objectives of this Foundation complement the somewhat different objectives of the International Science and Technology Centre set up by an international agreement between the European Community, the USA, Japan and the Russian Federation.2 The Centre has the important strategic function of redeploying scientists from the military-based industries in the former Soviet Union and its structure and the types of action which it takes ...[+++]


Les produits qui ont fait l'objet de l'enquête sont certains types de micro-circuits électroniques appelés mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM), qu'ils aient la forme de disques ou de micro-plaquettes usinés, qu'ils soient assemblés et testés, ou transformés en modules de différentes configurations; ils sont réalisés selon toutes les variantes de la technologie MOS et dans toutes les densités, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration et leur boîtier.

The products investigated are certain types of microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) either in - processed wafer of die form, or - assembled and tested, or in - multicombinational forms such as DRAM-modules, of all MOS technologies and all densities irrespective of differences in configuration, package or access time.




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Technologie de type MOS complémentaire ->

Date index: 2022-03-15
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