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Traduction de «Electron-beam-sensitive diffusion mask » (Anglais → Français) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous

electron-beam-sensitive diffusion mask

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

masque de diffusion sensible à un faisceau électronique

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) [HTML] [2017-12-31]

electron-beam pattern generator [ e-beam pattern generator | electron-beam maskmaker | mask generator electron-beam machine ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

masqueur électronique [ électrocomposeur | composeur électronique ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) [HTML] [2018-01-01]

electron-beam pattern generator | EPG | electron-beam maskmaker | electron-beam mask generator

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

électrocomposeur

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

TRADUCTIONS EN CONTEXTE

E-beam' consists in using parallel electronic beams that 'write' the blueprint of a chip on a wafer (without any mask).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

La technique «E-beam» consiste à utiliser des faisceaux électroniques parallèles qui «écrivent» le croquis d'un circuit sur une plaquette (sans projection de masque).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2010-09-28]

2. Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focused electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

2. équipements spécialement conçus pour la production de masques ou le traitement de dispositifs semi-conducteurs, utilisant un faisceau électronique, un faisceau ionique ou un faisceau "laser" avec focalisation et balayage du faisceau, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm2 or better;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

b. toutes résines photosensibles (résists) destinées à être utilisées sous l'effet de faisceaux électroniques ou ioniques, ayant une sensibilité de 0,01 µcoulomb/mm2 ou meilleure;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2002-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2002-12-31]

b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0,01 µcoulomb/mm² or better;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

b. toutes résines photosensibles (résists) destinées à être utilisées sous l'effet de faisceaux électroniques ou ioniques, ayant une sensibilité de 0,01 µcoulomb/mm³ ou meilleure;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2000-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2000-12-31]

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The sensitive surface of the receiver shall be covered with a diffusing medium and shall have at least twice the cross section of the parallel light beam emitted by the optical system.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1991-12-31]

La surface sensible du récepteur doit être couverte par un diffuseur et doit être au moins égale à deux fois la section du faisceau lumineux parallèle émis par le système optique.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1991-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1991-12-31]

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Date index: 2024-02-18