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EUV
Lithographie EUV
Lithographie UV extrême
Lithographie aux ultraviolets extrêmes
Lithographie par rayons X mous
Lithographie par ultraviolets extrêmes
Lithographie ultraviolet extrême
SOL-ACES
Spectromètre SOL-ACES
Spectrophotomètre SOL-ACES
Ultra-violet extrême

Traduction de «EUV » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
spectromètre d'auto-étalonnage dans l'ultraviolet et l'ultraviolet extrême [ SOL-ACES | spectrophotomètre solaire d'auto-étalonnage EUV/UV | spectromètre SOL-ACES | spectrophotomètre SOL-ACES ]

auto-calibrating extreme ultraviolet and ultraviolet spectrometer [ SOL-ACES | solar auto-calibrating extreme UV/UV spectrophotometer | solar auto-calibrating EUV/UV spectrophotometer | auto-calibrating EUV/UV spectrometer ]


lithographie par ultraviolets extrêmes | lithographie aux ultraviolets extrêmes | lithographie ultraviolet extrême | lithographie UV extrême | lithographie EUV | lithographie par rayons X mous

extreme ultraviolet lithography | extreme UV lithography | EUV lithography | soft X-ray lithography


lithographie EUV

extreme ultraviolet lithography | EUVL [Abbr.]


ultra-violet extrême | EUV [Abbr.]

extreme ultraviolet | EUV [Abbr.]
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
La Commission a décidé de ne pas s'opposer à l'octroi d'une subvention de 120 millions de DEM (soit 60 millions d'euros) en faveur d'un projet allemand de recherche conjointe d'une durée de cinq ans portant sur la lithographie extrême ultraviolet (EUV).

The European Commission decided to raise no objections on a grant of DEM 120 million (€ 60 million) for a German five year co-operative research project on extreme ultraviolet lithography (EUV).


Cette aide a pour objet d'encourager la participation de l'Allemagne à un projet Eureka commun visant à développer la lithographie EUV en Europe, qui pourrait renforcer la position des fournisseurs européens sur le marché des semi-conducteurs en leur permettant d'acquérir un savoir-faire et des droits de propriété intellectuelle.

The purpose of the aid is to promote the German participation to a joint Eureka project aiming at the development of EUV lithography technologies in Europe, that could strengthen the position of the European semiconductor industry suppliers through the development of know-how and intellectual property.


La lithographie EUV se caractérise par un risque scientifique et technique élevé.

EUV lithography is characterised by a high scientific and technical risk.


Par exemple, la collimation de l'EUV ne peut s'effectuer au moyen de lentilles.

For example, EUV cannot be collimated through lenses.


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Étant donné que la taille des semi-conducteurs ne cesse de diminuer, il est largement admis que dans 10 à 11 ans, la longueur d'onde de la lumière qui sera nécessaire à la lithographie ira au-delà du spectre ultraviolet, atteignant l'extrême ultraviolet (EUV) ou la zone des rayons X mous.

With the constant diminution in the semiconductor structure size, it is well established that within 10-11 years, the wave length of the light required in the lithography process will go past the ultra-violet spectrum into the Extreme-Ultra-Violet (EUV) or soft X-ray zone.


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