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Translation of "Jonction métal semi-conducteur " (French → English) :

TERMINOLOGY
see also In-Context Translations below

jonction métal semi-conducteur

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

metal-semiconductor junction

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transistor à effet de champ à barrière de Schottsky | transistor à effet de champ métal semi-conducteur | transistor MESFET | MESFET [Abbr.]

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metal semiconductor field-effect transistor | metal-semiconductor FET | MESFET [Abbr.]

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couche d'arrêt métal-semi-conducteur

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

metal semiconductor barrier

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) [HTML] [2018-01-01]

semi-conducteur métal-oxyde à double diffusion verticale

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

vertical double-diffused metal oxide semi-conductor [ VDMOS | vertical double-diffused MOS ]

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MOS complémentaire [ CMOS | semi-conducteur complémentaire à l'oxyde de métal ]

http://www.btb.termiumplus.gc. (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

complementary metal-oxide semiconductor [ CMOS | complementary metal oxide semiconductor | complementary MOS | complementary metal-oxide-silicon ]

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réseau laser semi-conducteur à jonction en Y

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Y-junction semiconductor laser array

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http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

http://gdt.oqlf.gouv.qc.ca/fic (...) (...) [HTML] [2018-01-01]

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transistor métal-oxyde semi-conducteur à effet de champ | MOSTEC

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metal-oxide silicon field-effect transistor | MOSFET

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

équipée d'un unique dispositif à transfert de charge (CCD) ou d'un capteur d'images à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOS) supplémentaire

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2014-12-14]

with a single Charge-Couple-Device (CCD) or Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) sensor,

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http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2014-12-14]

[12] La technologie métal-oxyde-semi-conducteur complémentaire (CMOS) est la technologie standard pour les circuits intégrés de la piste «more Moore».

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

[12] Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) is the standard technology for integrated circuits in the "more Moore" track

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http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2012-12-31]

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de l ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

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Date index: 2023-12-22