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CD-MO
CMOS
Circuit MOS
Circuit intégré MOS
Circuit intégré à transistors MOS
Circuit « C. Mos »
Circuit à transistors Mos complémentaires
Disque MO
Disque compact magnéto-optique
Disque magnéto-optique
Lance-mines
Lm
MO
MOS complémentaire
MOS vertical
MOS à canal p
MOS à canal vertical
MOS à enrichissement
Missouri
Mo
Mo.
Mortier
PMOS
Substrat pour MOS
Support pour MOS
Transistor MOS à canal P
Transistor MOS à enrichissement
Transistor PMOS

Translation of "Mo " (French → English) :

TERMINOLOGY
see also In-Context Translations below
circuit MOS [ circuit intégré MOS | circuit intégré à transistors MOS ]

MOS circuit [ MOS integrated circuit | MOS IC ]


MOS à canal p | transistor MOS à canal P | PMOS | transistor PMOS

p-channel MOS | PMOS | PMOS transistor


MOS à enrichissement [ transistor MOS à enrichissement ]

enhancement MOS [ enhancement-mode MOS | enhancement-mode MOSFET ]


MOS à canal vertical | MOS vertical

vertical MOS | VMOS [Abbr.]




Missouri [ Mo. | MO ]

Missouri [ Mo. | Show Me State | Bullion State | MO ]


disque magnéto-optique | CD-MO | disque MO | disque compact magnéto-optique

compact disc magnetic-optical | CD-MO | compact disc magneto-optic | magneto-optic disk | magnetic-optical disk | compact disc-magneto optical


circuit à transistors Mos complémentaires | circuit « C. Mos »

complementary metal oxide semiconductor circuit | C. Mos circuit


circuit intégré à transistors MOS | MOS complémentaire | CMOS [Abbr.]

complementary metal-oxide semiconductor | CMOS [Abbr.]


IN-CONTEXT TRANSLATIONS
Adresse: a) 1257 Siskiyou Blvd., Ashland, OR 97520, USA, b) 3800 Highway 99 S, Ashland, OR 97520, USA, c) 2151 E Division St., Springfield, MO 65803, USA». , sous la rubrique «Personnes morales, groupes et entités», est remplacée par les données suivantes:

Address: (a) 1257 Siskiyou Blvd., Ashland, OR 97520, USA, (b) 3800 Highway 99 S, Ashland, OR 97520, USA, (c) 2151 E Division St, Springfield, MO 65803, USA’ under the heading ‘Legal persons, groups and entities ’ shall be replaced by the following:


La base de données de la CEE-ONU sur l'EIE transfrontière (www.mos.gov.pl/enimpas) est incomplète : on y trouve des fiches sur les institutions nationales (points de contact pour la notification et centres de liaison pour la mise en oeuvre de la Convention), mais peu de détails sur les projets soumis à la Convention.

The UNECE database on Transboundary EIA (www.mos.gov.pl/enimpas) is incomplete: there are entries listing national institutions (Points of Contact for Notification, and Focal Points for the Implementation of the UNECE Convention), but little detail on any projects subject to the Convention.


On note mo et m les tailles d’échantillon respectivement minimale et maximale (mo = 3 et m = 32) et n la taille de l’échantillon considéré.

Let mo and m denote the minimum and maximum sample sizes respectively (mo = 3 and m = 32) and let n denote the current sample number.


Depuis le 1er juillet 2014, les utilisateurs en itinérance ne paient pas plus de 19 cent(ime)s par minute pour passer un appel, 5 cent(ime)s par minute pour recevoir un appel, 6 cent(ime)s pour envoyer un SMS et 20 cent(ime)s par mégaoctet (Mo) pour télécharger des données ou consulter l’internet pendant leurs déplacements (facturation par kilooctet utilisé).

From 1 July 2014, roaming consumers pay no more than 19 cents per minute to make a call, 5 cents per minute to receive a call, 6 cents to send a text message and 20 cents per megabyte (MB) to download data or browse the Internet whilst travelling abroad (charged per kilobyte used).


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Depuis le 1 juillet 2014, les utilisateurs en itinérance ne paient pas plus de 19 cent(ime)s par minute pour passer un appel, 5 cent(ime)s par minute pour recevoir un appel, 6 cent(ime)s pour envoyer un SMS et 20 cent(ime)s par mégaoctet (Mo) pour télécharger des données ou consulter l’internet pendant leurs déplacements (facturation par kilooctet utilisé).

From 1 July 2014, roaming consumers pay no more than 19 cents per minute to make a call, 5 cents per minute to receive a call, 6 cents to send a text message and 20 cents per megabyte (MB) to download data or browse the Internet whilst travelling abroad (charged per kilobyte used).


Objectif d'émissions spécifiques = WLTPobjectif de référence + a [(Mø – M) – (Mø – M)]

Specific emission target = WLTPreference target + a [(Mø – M) – (Mø – M)]


Al, Mn, Fe, et autres métaux lourds tels que Cu, Zn, Hg, Pb, Cd, Co, Mo

Al, Mn, Fe, and other heavy metals, e.g. Cu, Zn, Hg, Pb, Cd, Co, Mo


Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès, configuration, mode de conditionnement ou support, etc., originaires de l ...[+++]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.


Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).


Sa distance "l" à l'axe d'oscillation dans le plan de lancement est égale à 1 mètre ± 5 mm. La masse réduite du pendule est mo = 6,8 ± 0,05 kg; "mo" est relié à la masse totale "m" du pendule et à la distance "d" existant entre le centre de gravité du pendule et son axe de rotation par la relation

It is at a distance "l" from the axis of oscillation in the release plane, which is equal to 1 m ± 5 mm. The reduced mass of the pendulum is mo= 6,8 ± 0,05 kilograms. The relationship of "mo" to the total mass "m" of the pendulum and to the distance "d" between the centre of gravity of the pendulum and its axis of rotation is expressed in the equation:




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Mo ->

Date index: 2022-10-02
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