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Employé de rayon
Employée de rayon
Examen aux rayons Roentgen
Examen aux rayons Rontgen
Examen aux rayons X
Imperméabilité aux U.
Lithographie EUV
Lithographie UV extrême
Lithographie X
Lithographie aux rayons X
Lithographie aux ultraviolets extrêmes
Lithographie par rayons X
Lithographie par rayons X mous
Lithographie par ultraviolets extrêmes
Lithographie ultraviolet extrême
Lithographie à rayon direct
Lithographie à rayons X
Lithographie à rayons X mous
Opacité aux U.
Plexiglas opaque aux rayons ultraviolets
Plexiglass opaque aux rayons ultraviolets
Plexiglass opaque aux ultraviolets
Transparence aux rayons ultraviolets

Traduction de «lithographie aux rayons » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous


lithographie par rayons X | lithographie aux rayons X | lithographie à rayons X | lithographie X

X-ray lithography | XRL | X-lithography








lithographie par ultraviolets extrêmes | lithographie aux ultraviolets extrêmes | lithographie ultraviolet extrême | lithographie UV extrême | lithographie EUV | lithographie par rayons X mous

extreme ultraviolet lithography | extreme UV lithography | EUV lithography | soft X-ray lithography


employée de rayon | employé de rayon | employé de rayon/employée de rayon

trainee shelf filler | trainee shelf stacker | outlet centre shelf stacker | shelf filler


examen aux rayons X [ examen aux rayons Rontgen | examen aux rayons Roentgen ]

roentgenological examination [ roentgenologic examination ]


plexiglass opaque aux ultraviolets [ plexiglass opaque aux ultraviolets | plexiglass opaque aux rayons ultraviolets | plexiglas opaque aux rayons ultraviolets ]

ultraviolet filtering plexiglass


transparence aux rayons ultraviolets | opacité aux U. | imperméabilité aux U.

transparency to ultraviolet light
TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Elle est également en concurrence avec d'autres techniques (telles que le rayon X et la lithographie par faisceau électronique), qui ont également fait l'objet de nombreuses études aux États-Unis.

It also competes with other technologies (like X-ray and electron beam lithography), that have also been intensely studied in the USA.


Étant donné que la taille des semi-conducteurs ne cesse de diminuer, il est largement admis que dans 10 à 11 ans, la longueur d'onde de la lumière qui sera nécessaire à la lithographie ira au-delà du spectre ultraviolet, atteignant l'extrême ultraviolet (EUV) ou la zone des rayons X mous.

With the constant diminution in the semiconductor structure size, it is well established that within 10-11 years, the wave length of the light required in the lithography process will go past the ultra-violet spectrum into the Extreme-Ultra-Violet (EUV) or soft X-ray zone.


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