lithographie par faisceau d'ions focalisé | lithographie par faisceau d'ions focalisés | lithographie par faisceau ionique focalisé | lithographie à faisceau d'ions focalisé | lithographie à faisceau d'ions focalisés | lithographie à faisceau ionique focalisé

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focused ion beam lithography | FIBL | FIB lithography

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lithographie aux rayons X

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X-ray lithography

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spectromètre à particules alpha et à rayons X [ APXS | spectromètre APXS | spectromètre d'analyse à particules alpha et à rayons X | spectromètre d'analyse de particules alpha et de rayonnement X | spectromètre alpha-protons-rayons X | spectromètre dans le rayonnement X des protons alpha ]

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alpha particle X-ray spectrometer [ APXS | alpha proton X-ray spectrometer ]

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analyse par rayons X à dispersion d'énergie [ dispositif d'analyse aux rayons X à dispersion d'énergie | radiographie à rayons X diffusés ]

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energy dispersive X-ray analysis

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tomographie à rayons x | tomographie axiale calculée par ordinateur | tomodensiométrie | scanographie [ TACO | TDM ]

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computed tomography [ CT ]

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TRADUCTIONS EN CONTEXTE

Étant donné que la taille des semi-conducteurs ne cesse de diminuer, il est largement admis que dans 10 à 11 ans, la longueur d'onde de la lumière qui sera nécessaire à la lithographie ira au-delà du spectre ultraviolet, atteignant l'extrême ultraviolet (EUV) ou la zone des rayons X mous.

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With the constant diminution in the semiconductor structure size, it is well established that within 10-11 years, the wave length of the light required in the lithography process will go past the ultra-violet spectrum into the Extreme-Ultra-Violet (EUV) or soft X-ray zone.

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Elle est également en concurrence avec d'autres techniques (telles que le rayon X et la lithographie par faisceau électronique), qui ont également fait l'objet de nombreuses études aux États-Unis.

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It also competes with other technologies (like X-ray and electron beam lithography), that have also been intensely studied in the USA.

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