lithographie par faisceau d'ions focalisé | lithographie par faisceau d'ions focalisés | lithographie par faisceau ionique focalisé | lithographie à faisceau d'ions focalisé | lithographie à faisceau d'ions focalisés | lithographie à faisceau ionique focalisé

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focused ion beam lithography | FIBL | FIB lithography

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puits à faible rayon de courbure [ puits à petit rayon | puits à faible rayon | puits horizontal à faible rayon de courbure | puits horizontal à faible rayon ]

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short radius horizontal well [ short-radius horizontal well | short radius well | short-radius well | short-turn radius well ]

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lancer de rayon [ lancer de rayons | traçage de rayon | lancé de rayon | suivi de rayon ]

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ray tracing [ ray-tracing | ray casting | ray-casting | raytracing ]

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employée de rayon | employé de rayon | employé de rayon/employée de rayon

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trainee shelf filler | trainee shelf stacker | outlet centre shelf stacker | shelf filler

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Elle est également en concurrence avec d'autres techniques (telles que le rayon X et la lithographie par faisceau électronique), qui ont également fait l'objet de nombreuses études aux États-Unis.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2001-07-17]

It also competes with other technologies (like X-ray and electron beam lithography), that have also been intensely studied in the USA.

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Étant donné que la taille des semi-conducteurs ne cesse de diminuer, il est largement admis que dans 10 à 11 ans, la longueur d'onde de la lumière qui sera nécessaire à la lithographie ira au-delà du spectre ultraviolet, atteignant l'extrême ultraviolet (EUV) ou la zone des rayons X mous.

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With the constant diminution in the semiconductor structure size, it is well established that within 10-11 years, the wave length of the light required in the lithography process will go past the ultra-violet spectrum into the Extreme-Ultra-Violet (EUV) or soft X-ray zone.

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