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Appareil d'inspection des bagages aux rayons X
Appareil à rayons X pour le contrôle des bagages
Contrôle par rayons X
Contrôle radiographique
Contrôle radiographique aux rayons X
Contrôle radiographique par rayons X
Diffusion des rayons X aux grands angles
Inspection radiographique
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Lithographie X
Lithographie aux rayons X
Lithographie aux ultraviolets extrêmes
Lithographie de proximité à rayons X
Lithographie des microcircuits aux rayons X
Lithographie par rayons X
Lithographie par rayons X mous
Lithographie par ultraviolets extrêmes
Lithographie ultraviolet extrême
Lithographie à rayon direct
Lithographie à rayons X

Traduction de «Lithographie des microcircuits aux rayons X » (Français → Anglais) :

TERMINOLOGIE
voir aussi les traductions en contexte ci-dessous
lithographie des microcircuits aux rayons X

X-ray lithography for microcircuits


lithographie par rayons X | lithographie aux rayons X | lithographie à rayons X | lithographie X

X-ray lithography | XRL | X-lithography


lithographie par ultraviolets extrêmes | lithographie aux ultraviolets extrêmes | lithographie ultraviolet extrême | lithographie UV extrême | lithographie EUV | lithographie par rayons X mous

extreme ultraviolet lithography | extreme UV lithography | EUV lithography | soft X-ray lithography




lithographie de proximité à rayons X

X-ray proximity lithography


contrôle radiographique par rayons X [ contrôle radiographique aux rayons X | contrôle par rayons X | inspection radiographique par rayons X | inspection radiographique | contrôle radiographique ]

X-ray inspection


appareil à rayons X pour le contrôle radioscopique des bagages [ appareil d'inspection des bagages aux rayons X | appareil à rayons X pour le contrôle des bagages ]

baggage X-ray machine [ baggage X-ray unit | luggage-ray unit ]


diffusion des rayons X aux grands angles

wide-angle X-ray diffraction


TRADUCTIONS EN CONTEXTE
Elle est également en concurrence avec d'autres techniques (telles que le rayon X et la lithographie par faisceau électronique), qui ont également fait l'objet de nombreuses études aux États-Unis.

It also competes with other technologies (like X-ray and electron beam lithography), that have also been intensely studied in the USA.


Étant donné que la taille des semi-conducteurs ne cesse de diminuer, il est largement admis que dans 10 à 11 ans, la longueur d'onde de la lumière qui sera nécessaire à la lithographie ira au-delà du spectre ultraviolet, atteignant l'extrême ultraviolet (EUV) ou la zone des rayons X mous.

With the constant diminution in the semiconductor structure size, it is well established that within 10-11 years, the wave length of the light required in the lithography process will go past the ultra-violet spectrum into the Extreme-Ultra-Violet (EUV) or soft X-ray zone.


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